薄膜熱電參數測試系統產品特點
專門針對薄膜材料的Seebeck系數和電阻率測量。
測試環境溫度范圍達到81K~700K。
采用動態法測量Seebeck系數,避免了靜態測量在溫差測量上的系統誤差,測量更準確。
采用四線法測量電阻率。
熱電偶探針經過嚴格的篩選配對保證測試結果的準確和穩定。
軟件操作簡單,智能化可實現全自動模式。
薄膜熱電參數測試系統測試實例
標準鎳帶測試結果
東華大學MoS2測試結果
MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結果(中國科學院電工研究所提供樣品)
MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結果(中國科學院電工研究所提供樣品)
薄膜熱電參數測試系統技術參數
型號
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MRS-3
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MRS-3RT
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環境溫度
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81K~700K
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RT
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溫控方式
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PID程序控制
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真空度
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≤ 1Pa
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測試氣氛
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真空
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空氣
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測量范圍
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澤貝克系數:S ≥ 8µV/K; 電阻率:0.1µΩ•m ~ 1000KµΩ•m
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分辨率
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澤貝克系數:0.05µV/K; 電阻率:0.05µΩ•m
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相對誤差
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澤貝克系數 ≤ 7%,電阻率 ≤ 5%
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測量模式
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自動
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樣品尺寸
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長 x 寬:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm
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主機尺寸
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采集箱:470x400x140,單位mm
變溫裝置:直徑x高 460x800mm
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170x250x220,單位mm
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重量
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31.9kg
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3.5kg
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薄膜熱電參數測試系統樣品要求
樣品滿足上述樣品尺寸,待測面需平整,薄膜均勻性好,保證與銅片接觸良好
薄膜材料厚度最低可至100nm,其均勻性有較高要求,薄膜厚度達到微米級別較好
薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或絕緣材料為宜,如玻璃、Si等材料
薄膜熱電參數測試系統技術原理
動態法:測量Seebeck系數
在待測溫場下給樣品兩端加一個連續變化的微小溫差,通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化,然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線,直線斜率即為該材料在該溫場下的Seebeck系數。
采用四線法測量電阻率。