特點:
1.獲得美國專利技術的MOS多光束技術(二維激光陣列)
2.采用真空和低壓氣體保護,可進行溫度范圍-100~1200°C(多種溫度范圍可選)的變溫測量
3.樣品快速熱處理和冷處理功能
4.溫度閉環控制保證極佳的溫度均勻性和精度
5.實時的應力、曲率VS溫度曲線
6.程序化控制掃描模式:選定區域、多點線性掃描、全面積掃描
7.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應力成像分析
8.測量功能:曲率、曲率半徑、薄膜應力、薄膜應力分布和翹曲等
9.氣體(氮氣、氬氣和氧氣等)Delivery系統
10.可采用泵入液氮冷卻,較大冷卻速率100°C/min
應用:
TST用于全球科研或者生產企業中薄膜原位應力監測和控制。
TST應用于金屬薄膜,介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm半導體集成電路板、薄膜電池、MBE和MOCVD薄膜制備和退火過程的熱應力監控等領域。